在電漿清洗工藝當(dāng)中，會往密閉真空中充入少量Ar、H2、O2中的一種或幾種氣體，并利用RF power在平形板電極形成電場使電子來回震蕩，在電子激發(fā)并電離氣體產(chǎn)生了電漿，即我們所說的等離子體，使它撞擊基板和芯片表面，與污染物產(chǎn)生物理或化學(xué)反應(yīng)，利用氣體流通將污染物去除。
一、SiP封裝工藝中的Plasma Clean (電漿清洗Before WB)工藝
電漿清洗的工藝可以使表面微結(jié)構(gòu)產(chǎn)生官能基或達(dá)到一定的粗糙度，增加不同材料之間的結(jié)合力，并增加焊點的可靠性以及基板與塑封材料之間的結(jié)合力，從而提高產(chǎn)品的可靠度、耐久性，從而達(dá)到提升使用壽命，提高產(chǎn)品質(zhì)量的目的。
其中電漿清洗能賦予材料多種作用，我們介紹以下幾種：
1、Argon Plasma（即刻蝕作用）；純物理作用、物理撞擊可將表面高分子的鍵結(jié)打斷，形成微結(jié)構(gòu)粗糙面。
2、Oxygen Plasma（即改性作用）：具有化學(xué)作用，可以氧化燃燒高分子聚合物，或者形成雙鍵結(jié)構(gòu)的官能子，可表面改性。
3、Hydrogen Plasma：具有還原性作用的氣體，可以還原被氧化的金屬表面層。
4、Mix Gas Plasma：組合上述氣體種類，清洗過程中可達(dá)到特殊官能基的形成。Ar & H2的混合氣體借由物理撞擊可對表面的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生活化作用，并形成粗糙面增加結(jié)合力。Wire Bond工序前，采用此種清洗方式，可以增加焊點的結(jié)合力。O2& H2混合氣，對金屬面形成OH-基，Molding 工序前，采用此種清洗，可以增加與Compound間的結(jié)合力。
二、SiP封裝工藝中的Wire Bonding（WB）工藝
WB是封裝工藝中最為關(guān)鍵的一步，主要目的是利用金線(Au)、鋁線(Al)或銅線(Cu)，把芯片上的Pad和基板上Finger通過焊接的方法連接起來。其中焊接方式有熱壓焊、超聲鍵合和熱超聲焊等，這里主要介紹熱超聲焊。
熱超聲焊的主要材料為金線，成分為99.99%的高純度金，線徑一般為0.8mil，1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils等。它利用超聲振動提供的能量，使金絲在金屬焊區(qū)表面迅速摩擦生熱，產(chǎn)生塑性變形，破壞金屬層界面的氧化層，兩個純凈的金屬界面緊密接觸，在鋼嘴壓力作用下，達(dá)到原子間緊密鍵合，形成牢固的焊接。
其中熱超聲焊的步驟主要有以下
1、打火桿在瓷嘴前打火，將金線燒熔成球；
2、第一焊點：金球在鋼嘴施加的一定壓力和超聲的作用下，與芯片pad連接，形成焊球(Bond Ball)；
3、第一焊點完成后，夾持金線的夾子松開，鋼嘴牽引金線上升，并按程序設(shè)定的軌跡運動，從而形成一定的線型（Wire Loop）。
4、第二焊點：鋼嘴運動到基板Finger上方，在超聲作用下，下壓到在基板的Finger上，形成魚尾(Wedge)形的連接；
5、第二焊點完成后，鋼嘴向上運動，拉出一定長度的金線(為下一步燒球做準(zhǔn)備)，夾子閉合，金線與Finger的連接被切斷。
6、回到第一步程序，進(jìn)入下一焊接循環(huán)。
在這類關(guān)乎WB的處理效果有四要素，分別是壓力（Force）、超聲功率（USG Power）、時間（Time）、溫度（Temperature）。適當(dāng)?shù)卣{(diào)控好這些因素是提升處理效果的捷徑。
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