對(duì)真空(低壓)等離子清洗機(jī)而言,無論是直流輝光放電,還是交流高頻放電,只要采用了惰性氣體作為工藝氣體,都不可避免產(chǎn)生濺射。在普通產(chǎn)品或材料當(dāng)中,微弱的濺射現(xiàn)象并不會(huì)影響基體的特性,但對(duì)于要求比較嚴(yán)格的產(chǎn)品,例如醫(yī)療器械,濺射現(xiàn)象則越少越好。

真空等離子清洗機(jī).png

今天我們來探討一下射頻濺射以及其等離子清洗機(jī)處理產(chǎn)品的影響:

在低壓狀態(tài)下射頻自偏壓在電極板周圍產(chǎn)生自偏壓鞘層,鞘層內(nèi)的離子受自偏壓的驅(qū)動(dòng)會(huì)加速向極板運(yùn)動(dòng),從而對(duì)極板材料產(chǎn)生濺射。設(shè)從外部入射到固體表面的粒子數(shù)為Nr,從固體表面被濺射出來的離子數(shù)為Ns。

S即為每個(gè)入射粒子所打出來的粒子數(shù),濺射率隨著入射粒子的能量、種類以及固體的種類的狀態(tài)而變化。當(dāng)轟擊固體表面的離子能量增大時(shí),濺射率將從某能量值急劇增大,這種離子能量稱為濺射閾值。

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金屬的濺射閾值大約在10~30eV的范圍。離子能量增大到100eV之前,濺射率隨之增加,在很寬的范圍內(nèi),濺射率有極大值,然后就逐漸變小。例如對(duì)于300eV能量的Ar離子濺射Ti靶,其濺射效率為0.3,600eV能量的Ar濺射Ti靶效率為0.45,而對(duì)于300eV的氮離子注入Ti靶濺射效率比0.3小一點(diǎn)。當(dāng)使用圓柱式射頻振蕩時(shí),如果外電極接地,內(nèi)電極上自偏壓相對(duì)于外電極顯負(fù)電性。內(nèi)電極上自偏壓會(huì)在內(nèi)電極周圍產(chǎn)生一個(gè)離子鞘,內(nèi)電極材料被鞘內(nèi)離子濺射。

為了增加RF濺射效率,一般在濺射靶材背面加上磁鐵,稱為射頻磁控濺射。電子在由磁場(chǎng)的靶表面回旋運(yùn)動(dòng),靶表面上的

等離子體密度增大,放電阻抗低,因此可以獲得比普通極板RF濺射高10~100倍的濺射效率。而當(dāng)使用圓柱式電極RF濺射時(shí),若在中心電極上實(shí)行濺射,可將中心電極做成中空細(xì)圓筒,在圓筒內(nèi)加人磁鐵,實(shí)現(xiàn)中心電極磁控濺射。

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真空(低壓)等離子清洗機(jī)無論是多層電極亦或雙層,基本上都采用鋁合金作為電極,主要是因?yàn)榻饘黉X具有良好的散熱性能和對(duì)等離子體的耐候性,但是長(zhǎng)期在等離子轟擊下,電極表面仍然有鋁原子逃逸出來。正是由于射頻濺射會(huì)轟擊出金屬粒子,這些金屬粒子會(huì)被附著在產(chǎn)品表面,形成污染,例如半導(dǎo)體引線框架,偶爾會(huì)發(fā)現(xiàn)金屬注入的現(xiàn)象,打線質(zhì)量受到影響。

為避免或減少射頻濺射對(duì)產(chǎn)品的影響,等離子清洗機(jī)的腔體結(jié)構(gòu),電極板冷卻以及工藝參數(shù)的優(yōu)化,都是非常重要的。