光刻膠是一種光敏材料，通常分為正膠和負(fù)膠。正膠在曝光后發(fā)生聚合反應(yīng)，而負(fù)膠則在曝光后被溶解。光刻工藝通過將光刻膠涂覆在硅片上，并通過紫外光曝光和顯影，形成所需的微結(jié)構(gòu)。隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的縮小，光刻膠的去除變得更加復(fù)雜和關(guān)鍵。

硅片

等離子體是一種由帶電粒子、自由電子和中性粒子組成的氣體狀態(tài)，具有良好的化學(xué)活性。在等離子體去除光刻膠的過程中，等離子體中的高能粒子與光刻膠分子發(fā)生碰撞，導(dǎo)致光刻膠的化學(xué)結(jié)構(gòu)斷裂，生成可揮發(fā)的小分子（如水、二氧化碳等），從而實(shí)現(xiàn)去除。

等離子體去膠設(shè)備

等離子體去除的優(yōu)勢

  • 高效性：等離子體去除速度較快，能夠在短時(shí)間內(nèi)去除厚度較大的光刻膠。

  • 選擇性強(qiáng)：通過調(diào)整氣體的種類和反應(yīng)條件，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)特定材料的選擇性去除，避免對(duì)基底材料的損傷。

  • 環(huán)境友好：與傳統(tǒng)的化學(xué)去膠方法相比，等離子體去膠減少了有害廢物的產(chǎn)生，更加環(huán)保。

  • 低溫處理：等離子體去除過程通常在低溫下進(jìn)行，適合對(duì)熱敏感材料的處理。

 


等離子體去除光刻膠是一項(xiàng)高效、環(huán)保的技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著材料科學(xué)和設(shè)備技術(shù)的發(fā)展，相信等離子體去除技術(shù)將在半導(dǎo)體制造中扮演更加重要的角色。對(duì)這一領(lǐng)域的深入研究將為提升半導(dǎo)體工藝的精度和效率提供有力支持。